Περιγραφή καλωδίου από το εσωτερικό προς το εξωτερικό
1. ίνες
2Σιδηρουργικό σύρμα
3. χαλαρό σωλήνα
4. εσωτερική κάλυψη
5. σύστημα αποκλεισμού νερού
6. μείγμα πλήρωσης
7. κυματοποιημένη ταινία από χάλυβα
8. εξωτερική κάλυψη
Εφαρμογή
1. Εξωτερική διανομή με άμεση ταφή ή με αγωγούς.
2- Μεγάλη απόσταση και τοπική επικοινωνία.
Χαρακτηριστικά
1- Σιδηροειδή ταινία για ενίσχυση.
2Το γεμιστήρα προστατεύει το σωλήνα από ίνες χάλυβα με ταινία.
3Εξαιρετική μηχανική και περιβαλλοντική απόδοση.
4- Συγκινημένη δομή, ελαφρύ βάρος.
5- Εύκολη εγκατάσταση και απλή λειτουργία.
6Καλό σύστημα απομόνωσης νερού.
7- Διπλή κάλυψη.
Άρθρα | Περιγραφή | ||||||
Αριθμός ινών | 2-288 πυρήνες | ||||||
Φυτικές ίνες | Τύπος | G652D/G657A/OM1/OM2/OM3/OM4 | |||||
διάμετρος | 250 μm | ||||||
Μέλος της δύναμης | υλικό | Χάλυβα ταινία και E-γυαλί | |||||
Εσωτερική κάλυψη | υλικό | ΠΕ | |||||
διάμετρος | / | ||||||
Εξωτερική κάλυψη | υλικό | ΠΕ | |||||
διάμετρος | 12.5~16.5mm | ||||||
Μέγεθος καλωδίου (ύψος * πλάτος) | / | ||||||
Βάρος καλωδίου | 155~255KG±1KG | ||||||
Εγκατάσταση Περιοχή θερμοκρασίας ((oC) | -20+60 | ||||||
Θερμοκρασία λειτουργίας και μεταφοράς (oC) | -40+70 | ||||||
Ελάχιστη ακτίνα κάμψης ((mm) | Μακροπρόθεσμα | 10D | |||||
Μίνες κάμψης Ακτίνα ((mm) |
Σύντομη | 20D | |||||
Ελάχιστο επιτρεπόμενο Δυνατότητα τράβηξης ((N) |
Μακροπρόθεσμα | 3000 | |||||
Ελάχιστο επιτρεπόμενο Δυνατότητα τράβηξης ((N) |
Σύντομη | 4000 | |||||
Τραυματιστικό φορτίο (N/100mm) | Μακροπρόθεσμα | 300 | |||||
Τραυματιστικό φορτίο (N/100mm) | βραχυπρόθεσμα | 1000 |
Τυπικό χρώμα ινών και σωλήνων
Στυλ ινών | Μονάδα | ΣΜ G652 |
ΣΜ G652D |
ΜΜ 50/125 |
ΜΜ 62.5/125 |
ΜΜ OM3-300 |
|
κατάσταση | nm | 1310/1550 | 1310/1550 | Καθαρό νερό | Καθαρό νερό | Καθαρό νερό | |
αποδυνάμωση | dB/km | ≤ | ≤ | ≤ | ≤ 3,0/1.0 | ≤ 3,0/1.0 | |
0.36/0.23 | 0.34/0.22 | 3.0/1.0 | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | |||
Απασχόληση | 1550nm | Ψ/(nm*km) | - Δεν ξέρω. | ≤ 18 | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | Απασχόληση |
1625nm | Ψ/(nm*km) | - Δεν ξέρω. | ≤ 22 | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | ||
Διάταξη ζώνης | 850nm | MHZ.KM | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | >=400 | >=160 | Διάταξη ζώνης |
1300nm | MHZ.KM | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | >=800 | >=500 | ||
Μηδενικό μήκος κύματος διασποράς | nm | 1300-1324 | >=1302, ≤1322 |
- Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | >= 1295, ≤1320 |
|
Στριβή μηδενικής καταπίεσης | nm | ≤0.092 | ≤0.091 | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | |
PMD Μέγιστη ατομική ίνα | ≤0.2 | ≤0.2 | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | ≤0.11 | ||
Αξία συνδέσμου σχεδιασμού PMD | Πιτ. m) |
≤0.12 | ≤0.08 | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | |
μήκος κύματος κοπής ινών λc | nm | >= 1180, ≤1330 |
>=1180, ≤1330 |
- Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | |
Κεφάλαιο 3 μήκος κύματος λcc |
nm | ≤ 1260 | ≤ 1260 | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | |
ΔΕΠ | 1310nm | Εμ. | 9.2+/-0.4 | 9.2+/-0.4 | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. |
1550nm | Εμ. | 10.4+/-0.8 | 10.4+/-0.8 | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | |
Αριθμητική Ανοιχτότητα (NA) |
- Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | 0.200+/ -Ούτε ένα.015 |
0.275+/-0. 015 |
0.200+/-0 .015 |
||
Βήμα (μεσαίο όριο διμερούς) μέτρηση) |
dB | ≤0.05 | ≤0.05 | ≤0.10 | ≤0.10 | ≤0.10 | |
Ακανόνιστες διαστάσεις των ινών μήκος και σημείο |
dB | ≤0.05 | ≤0.05 | ≤0.10 | ≤0.10 | ≤0.10 | |
Διακοπή | |||||||
Επιστροφή της διαφοράς συντελεστής |
dB/km | ≤0.05 | ≤0.03 | ≤0.08 | ≤0.10 | ≤0.08 | |
Ομοιότητα εξασθένισης | dB/km | ≤0.01 | ≤0.01 | ||||
Διμετρικός πυρήνας | Εμ. | 50+1/1.0 | 62.5+/-2.5 | 50+1/1.0 | |||
Διάμετρος επικάλυψης | Εμ. | 125.0+/-0.1 | 125.0+/-0.1 | 125.0+/-0.1 | 125.0+/-0.1 | 125.0+/-0.1 | |
Μη κυκλική επένδυση | % | ≤ 1.0 | ≤ 1.0 | ≤ 1.0 | ≤ 1.0 | ≤ 1.0 | |
Διάμετρος επικάλυψης | Εμ. | 242+/-7 | 242+/-7 | 242+/-7 | 242+/-7 | 242+/-7 | |
Επιχρισμός/καφίνς συγκεντρωτικά σφάλμα |
Εμ. | ≤ 12.0 | ≤ 12.0 | ≤ 12.0 | ≤ 12.0 | ≤ 12.0 | |
Μη κυκλική επικάλυψη | % | ≤6.0 | ≤6.0 | ≤6.0 | ≤6.0 | ≤6.0 | |
Λάθος κεντρομορφίας πυρήνα/οπλισμού | Εμ. | ≤0.6 | ≤0.6 | ≤ 1.5 | ≤ 1.5 | ≤ 1.5 | |
Στρογγυλή ακτίνα | Εμ. | ≤ 4 | ≤ 4 | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. | - Δεν ξέρω. |
Τα πλεονεκτήματά μας
Προφίλ εταιρείας
Η DONGGUAN TW-SCIE CO., LTD. είναι θυγατρική του ομίλου Tewang, που ιδρύθηκε το 2002.έχει αναπτυχθεί σε μια ολοκληρωμένη ανάπτυξη προϊόντων επικοινωνίας υψηλής τεχνολογίας οπτικών ινών.παραγωγή. πωλήσεις και μηχανική δικτύου. Η έδρα της εταιρείας βρίσκεται στην πόλη Οίνγκσι.Γκουανγκντόνγκ και ΝτεγάνγκΤο Σιτσούαν, με ετήσια παραγωγή 20 εκατομμυρίων χιλιομέτρων οπτικών καλωδίων.
Ως επαγγελματίας κατασκευαστής καλωδίων οπτικών ινών, μπορούμε να σας προσφέρουμε όχι μόνο καλώδια οπτικών ινών υψηλής ποιότητας και ανταγωνιστικής τιμής, αλλά και τις δομές που απαιτείτε.Γι'αυτό, παρακαλώ, μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας για συνεργασία και εξαιρετική υπηρεσία..
Πιστοποίηση & FAQ